当地时间2026年4月23日，SK海力士召开2026年第一季度财报电话会议。公司宣布HBM4E内存正按计划开发，目标2027年量产，2026年下半年起向客户供应样品。该产品采用已验证的1c nm制程DRAM裸片，良率与量产能力成熟。同时，公司计划2026年内将超半数韩国本土NAND产能升级至321层V9技术，并聚焦龙仁半导体集群扩产，暂无新建或收购晶圆厂计划。

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