2026年4月下旬，硅来半导体在武汉举办的九峰山论坛上发布新一代碳化硅（SiC）激光隐切设备。该设备适用于8/12英寸SiC晶锭加工，单片切割时间由上代15分钟缩短至10分钟，提速50%。公司强调，效率提升未牺牲工程稳定性，剥离效果与分片一致性保持良好，后道工艺窗口基本不受影响，量产良率超98%。

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