2026年5月11日，据韩媒ETNEWS报道，三星电子DS部门在DRAM及HBM业务竞争力回升后，启动新半导体业务研发与投资讨论。重点包括400层以上堆叠的V10 NAND闪存、化合物半导体（如GaN、SiC）、先进封装及基板技术。此前其V9 NAND量产已停滞超两年。新计划依托内部资源富余，旨在抢占下一阶段增长点；8英寸GaN产线预计2026年第二季度投产，SiC产线目标2028年量产。

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