2026年5月20日，美光科技在摩根大通投资者会议上宣布，其第六代高带宽内存HBM4正快速扩产，爬坡速度达去年HBM3E的两倍。HBM4采用1β工艺，面向英伟达Vera Rubin平台。公司计划于2027年量产下一代HBM4E，将首次应用ASML EUV光刻的1γ工艺，并由台积电代工基础裸片。三星与SK海力士亦推进HBM4E开发，分别计划今二季度和下半年提供样品。

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