2026年6月2日，三星在台北国际电脑展（Computex Taipei）上发布全球首款HBM5内存。该技术面向高性能计算与AI训练需求，采用2nm基础裸片与1c nm DRAM，支持4096-bit I/O通道及16层堆叠，单堆叠带宽达4 TB/s。为应对高功耗，HBM5将应用浸没式冷却技术。预计量产时间为2029至2031年。

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