2026年6月，韩国SK海力士宣布其下一代V10 3D NAND闪存已完成生产验证，正推进量产转移。该产品采用375层堆叠设计，较前代V9（321层）显著提升，原定400层方案因量产难度被调整。新设计引入钼（Mo）替代部分钨（W）字线材料，降低电阻并优化填充性能，并采用东京电子（TEL）炉式设备以控制成本。量产将依托既有产线制程升级，目标于2026年内实现大规模供应。公司后续还规划480层及604层技术路线。

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