2026年6月29日，韩国SK海力士宣布总额1100万亿韩元（约4.84万亿元人民币）的中长期投资战略。投资将分三地展开：龙仁建设4座DRAM晶圆厂，完工时间由2045年大幅提前至2033年；清州投入100万亿韩元升级NAND产线及HBM先进封装能力；西南地区获400万亿韩元用于存储器前端制程布局，选址待定。公司表示，海外建厂亦在评估中，将视基础设施与生态条件而定。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。