2026年8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行AI存储器先进封装生产基地奠基仪式。该厂总投资超40亿美元，预计2028年10月建成无尘室，2029年下半年量产新一代HBM。工厂将采用韩国生产的先进晶圆，不设前端DRAM产能。项目建成后员工将超1000人，并同步建设先进封装研发测试床，联合普渡大学等机构推进技术开发与验证。

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