2026年9月，韩国DB HiTek公司宣布其基于8英寸晶圆的1200V碳化硅（SiC）MOSFET工艺通过可靠性认证。该公司建成全球首套完整1200V 8英寸SiC代工工艺流程，已向客户交付第一代与第二代工艺对应的PDK；第三代PDK将于2026年11月发布。该代工服务计划于2027年第二季度全面开放。此举旨在满足新能源汽车、光伏及储能领域对高功率SiC器件日益增长的需求。

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