2026年9月，韩国Kernel Insight数据显示，1b DRAM晶圆每平方毫米成本为0.654美元（约4.4元人民币），较台积电N2晶圆的0.424美元高出54%。1b DRAM采用亚10纳米工艺，主要用于DDR5台式机、笔记本、服务器内存及HBM3E配套颗粒。尽管其制造工艺比N2简单、良率更高，但受AI服务器需求激增及三大厂商扩产滞后影响，DRAM长期供应短缺推高成本。业内预计价格将持续攀升至2027年中期。

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