2026年10月15日，韩国SK海力士宣布成功研发基于3D FeNAND的模拟存内计算（A-CiM）技术，并已发表于IEEE期刊。该技术利用铁电材料极化状态实现多级电流调控，在存储单元内直接执行乘积累加（MAC）运算，显著减少数据搬运，提升AI计算能效与速度。相较传统3D NAND采用的电荷俘获结构，FeNAND具备非易失性、高密度及多态存储优势，更适配AI权重存储需求。

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