报告称三星 3nm 芯片良率已超过台积电

根据 Hi Investment & Securities 机构近日发布的报告,Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率达到了 60%,高于台积电(55%)。

报道称三星大力发展 3nm,不断提升生产工艺、提高生产良率,目前已经将良率提升到 60%,该媒体认为三星会在超先进芯片制造技术上胜过台积电。

报告中也指出三星目前在 4nm 工艺方面良率为 75%,和台积电(80%)存在差距,不过通过发力 3nm,有望在未来超过台积电。

报告中还指出由于台积电的大部分订单都被苹果预订,英伟达、高通等公司都对三星的第二代 3nm(SF3)工艺感兴趣。

IT之家此前报道,Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布的最新工艺技术路线图,该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺,2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时,该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。

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