天眼查App显示，紫光同芯微电子有限公司近日公开了一项名为“一种SRAM保护电路、方法及芯片”的发明专利。该发明旨在提高SRAM（静态随机存取存储器）的可靠性和稳定性，通过集成MBIST控制电路、DFLASH、ECC生成电路、故障地址记录电路、MUX选通电路以及或门等组件，实现对SRAM存储区域的全面检测和处理。具体而言，ECC检测电路、MBIST控制电路、故障地址比较电路以及Remap电路共同作用，能够准确检测出SRAM中失效的存储区域，并用空白的存储区域替换永久失效的部分，确保数据存储的安全性和完整性。此技术有望显著提升SRAM在高可靠性应用中的表现，如航空航天、医疗设备等领域。专利申请号为CN202411318117.4，公布日期为2025年1月10日。

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