天眼查App显示，合肥晶合集成电路股份有限公司近日公开了一项名为“半导体结构及其制备方法”的发明专利（专利号：CN202411794183.9）。该发明涉及一种新型半导体结构的制备方法，旨在提高半导体结构的良率并减少制造过程中的缺陷。具体步骤包括：提供第一晶圆并在其正面形成键合层；对第一晶圆进行修边处理以形成第一台阶，确保键合层覆盖第一台阶的正面；将处理后的第一晶圆通过键合层键合至第二晶圆表面；对第一晶圆背面进行多次减薄处理，并在减薄过程中形成和去除保护层；最后对减薄后的第一晶圆进行湿法刻蚀。这种方法有效降低了晶边介质层厚度的急剧变化，避免了减薄过程中晶圆龟裂的问题，显著提升了半导体结构的可靠性和生产效率。

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