天眼查App显示，近日，浙江求是半导体设备有限公司与浙江晶盛机电股份有限公司联合公布了一项名为“碳化硅参数测量方法、装置和计算机设备”的发明专利（专利号：CN202411855872.6）。该发明通过色散模型参数和膜层数量计算复介电常数，并进一步优化拟合反射光谱，最终确定碳化硅材料的载流子浓度、迁移率和厚度。此方法显著提高了碳化硅参数测量的灵活性和准确性。

该技术的核心在于利用色散模型参数进行迭代优化，确保实测反射光谱与拟合反射光谱的高度匹配。这一创新不仅为碳化硅材料的性能评估提供了更精确的工具，还为相关产业的发展注入了新的动力。王悦、朱亮、张鹏鹏和张济帆四位发明人凭借其在光学和材料科学领域的深厚积累，成功攻克了这一关键技术难题。

该专利于2024年12月17日申请，并于2025年1月17日正式公开。这项技术有望广泛应用于半导体、新能源等领域，推动碳化硅材料的应用和发展。

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