天眼查App显示，近日，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司联合申请的发明专利“半导体结构及其形成方法”正式公开，专利号为CN202310904740.7。该专利涉及一种新型半导体结构，包括基底、多层堆叠的电极层及介质层等关键组件，旨在通过优化电极层布局和互连结构设计，提升半导体器件的整体性能。

根据专利摘要，该结构通过在基底中形成第一凹槽，并在其中堆叠多层电极层，最顶层的电极层围成第二凹槽，进一步容纳互连结构。这种设计不仅增强了器件的电气性能，还为未来半导体技术的微型化和高效化提供了新的技术路径。

该专利的公开标志着中芯国际在半导体制造领域的持续创新，预计将对行业技术发展产生积极影响。

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