天眼查App显示，2025年2月7日，泰科天润半导体科技（北京）有限公司公开了一项名为“一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法”的发明专利。该专利申请号为CN202411975409.5，发明人包括周海、施广彦、胡臻和何佳。

这项技术突破主要涉及碳化硅材料的VDMOS（垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管），通过创新的沟槽栅设计，显著提升了器件的性能和可靠性。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具备高耐压、低损耗等优势，广泛应用于电力电子领域。此次公布的制备方法将进一步推动碳化硅VDMOS在高效能电源管理、电动汽车及工业控制等领域的应用。

泰科天润位于北京市顺义区中关村科技园区，致力于研发和生产高性能半导体器件。此次专利的公开标志着公司在碳化硅技术领域的又一重要进展。

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