扬州扬杰电子科技股份有限公司公布SiC器件发明专利

天眼查App显示,公告:扬州扬杰电子科技股份有限公司公布一种终端欧姆接触间隔排布的SiC器件及制备方法专利

扬州扬杰电子科技股份有限公司于2025年2月11日公布了其发明的一种终端欧姆接触间隔排布的SiC器件及其制备方法。该专利申请时间为2024年10月31日,专利号为CN202411544375.4,公开号为CN119421437A。

关键点:
- 专利类型:发明专利
- 申请人:扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 发明人:王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
- 地址:江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
- 邮政编码:225008
- 代理机构:扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
- 主要分类号:H10D30/01
- 公布日期:2025年2月11日

该专利涉及碳化硅(SiC)器件的创新设计和制造方法,旨在提升器件性能和可靠性。

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