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2025年2月14日,贵研电子材料(云南)有限公司与云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司联合申请的发明专利正式公布。该专利涉及一种薄壁微米空心金球及其制备方法,属于铸造和粉末冶金领域。
关键点:
- 专利名称: 一种薄壁微米空心金球及其制备方法
- 专利号: CN202411612528.4
- 公布号: CN119426588A
- 申请时间: 2024年11月12日
- 公布时间: 2025年2月14日
- 申请人: 贵研电子材料(云南)有限公司、云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
- 发明人: 幸七四、张晓杰、普鹏屹、张映苹、朱国梅、李文琳
- 地址: 云南省昆明市高新区马金铺贵金属产业园
- 专利类型: 发明专利
- 分类号: B22F1/0655、B22F1/05、B22F9/24
如需了解更多详情或联系相关单位,请通过以下地址:云南省昆明市高新区马金铺贵金属产业园,邮编:650503。
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