专利公布:LDMOS器件及其制备方法

天眼查App显示,导语: 晶芯成(北京)科技有限公司与合肥晶合集成电路股份有限公司于2025年2月18日公布了发明专利“LDMOS器件及其制备方法”,该专利涉及高性能半导体器件的制造技术。

关键点:
- 申请时间: 2025年1月15日
- 公布时间: 2025年2月18日
- 申请人: 晶芯成(北京)科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司
- 发明人: 周宁宁、汪金陵、张德培、王梦慧
- 专利类型: 发明专利
- 分类号: H10D30/65、H10D30/01、H10D64/00
- 地址: 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
- 代理机构: 北京成创同维知识产权代理有限公司

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