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中芯国际集成电路制造（北京、上海）有限公司于2025年2月25日公布了名为“半导体结构及其形成方法”的发明专利。该专利涉及半导体技术领域，旨在提高半导体结构的性能和可靠性。

关键点
- 专利名称：半导体结构及其形成方法
- 申请时间：2023年8月15日
- 公布时间：2025年2月25日
- 申请人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 发明人：曾沙、汪一帆
- 专利类型：发明专利
- 分类号：H10B41/30、H10D30/68、H10D62/17
- 地址：北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 邮编：100176
- 代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

如需了解更多详情，请联系中芯国际或相关代理机构。

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