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双良节能系统股份有限公司于2025年2月25日公布了其发明专利，涉及一种高电阻集中度的单晶硅及其拉晶工艺。该专利旨在提高单晶硅的电阻集中度，优化晶体生长技术。

关键点
- 申请人：双良节能系统股份有限公司
- 发明人：周颖、黄晶晶
- 申请时间：2024年11月25日
- 公布时间：2025年2月25日
- 专利号：CN202411692408.X
- 公布号：CN119507038A
- 地址：江苏省无锡市江阴市利港镇西利路88号
- 邮编：214400
- 代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
- 分类号：C30B29/06, C30B15/00
- 专利类型：发明专利

此专利的公布标志着公司在单晶硅材料及生产工艺上的重要进展，有助于推动相关领域的技术创新。

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