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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司于2025年2月28日公布了名为“光电探测器及其形成方法”的发明专利。该专利涉及光电探测器的创新设计与制造工艺，具有重要技术意义。

关键点
- 专利号：CN202311064465.9
- 申请时间：2023年8月22日
- 公布日期：2025年2月28日
- 发明人：张宇清、陈星、王志高
- 申请人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
- 地址：北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 邮政编码：100176
- 分类号：H10F39/18

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