中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利

天眼查App显示,导语:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项发明专利,涉及半导体结构及其形成方法,预计于2025年3月4日公布。

关键点:
1. 专利名称:半导体结构及其形成方法。
2. 申请时间:2023年8月29日。
3. 公布时间:2025年3月4日。
4. 专利类型:发明专利。
5. 发明人:李海山、王志高。
6. 代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司。

该专利技术进一步推动了半导体领域的研究与创新。

免责声明:本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。

最新文章
Copyright © DoNews 2000-2025 All Rights Reserved
蜀ICP备2024059877号-1