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近日，华东交通大学与晶科能源股份有限公司联合申请的发明专利“基于模糊控制器的单晶硅生长状态控制方法”正式公布。该专利旨在通过模糊控制技术优化单晶硅提拉速度，提升产品良率，减少表面凹陷。

关键点
- 事件类型：专利公布
- 主体单位：华东交通大学、晶科能源股份有限公司
- 核心内容：提出一种基于模糊控制器的单晶硅生长状态控制方法，通过速度和加速度模糊控制器修正提拉速度，提高精准性。
- 申请时间：2025年1月10日
- 公布时间：2025年3月18日
- 专利号：CN202510038408.6
- 专利类型：发明专利
- 地址：江西省南昌市经济技术开发区双港东大街808号
- 发明人：陈齐平、李德良等11人

如有合作意向，可联系北京清亦华知识产权代理事务所。

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