中芯国际专利申请:静电保护结构及其形成方法

天眼查App显示,导语:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司及中芯国际集成电路制造(上海)有限公司近日申请了一项发明专利,涉及静电保护结构及其形成方法、静电保护电路,旨在提高静电保护性能,专利将于2025年3月21日公布。

关键点:
- 专利名称:静电保护结构及其形成方法、静电保护电路
- 申请单位:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请时间:2023年9月19日
- 公布时间:2025年3月21日
- 技术核心:通过施加电位稳定栅极结构偏置电压,降低击穿点形成概率,提升二次击穿电流。
- 专利类型:发明专利

该专利的公布将进一步推动集成电路制造领域的技术创新与产品优化。

免责声明:本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。

Copyright © DoNews 2000-2025 All Rights Reserved
蜀ICP备2024059877号-1