天眼查App显示，导语：北京智芯微电子科技有限公司与浙江大学联合申请了一项名为“金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片”的发明专利，涉及半导体技术领域，旨在提升器件性能。
关键点：
1. 专利名称：金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片。
2. 申请单位：北京智芯微电子科技有限公司、浙江大学。
3. 申请时间：2024年12月26日。
4. 公布时间：2025年4月11日。
5. 技术核心：通过优化金属硅化物层形成方法，减少侧向生长异常和器件漏电，提升性能。
6. 专利类型：发明专利。
7. 联系地址：北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼。
该专利的公布将为半导体技术领域带来新的技术突破。
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