天眼查App显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司联合申请了一项发明专利，涉及半导体结构的形成方法及沉积设备。该专利已于2023年10月13日提交，预计于2025年4月15日公布。

关键点：
- 专利名称：半导体结构的形成方法、以及沉积设备
- 申请单位：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 申请时间：2023年10月13日
- 公布时间：2025年4月15日
- 技术核心：通过多次预沉积处理形成晶种层，提升栅极层质量，优化半导体结构性能
- 专利类型：发明专利
- 代理机构：上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙）

该专利技术通过优化沉积工艺，显著提高了半导体结构的性能，展现了中芯国际在半导体制造领域的技术创新实力。

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