天眼查App显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司近日获得一项关于低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法的发明专利。该专利旨在通过优化工艺降低栅漏电容，提高器件开关速度并减少开关损耗。

关键点：
- 专利名称：一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法
- 申请人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
- 专利申请号：CN202411975403.8
- 申请时间：2024年12月31日
- 公布时间：2025年2月7日
- 授权时间：2025年4月15日
- 专利类型：发明专利
- 技术亮点：通过多步骤工艺降低栅漏电容，提高器件性能

该专利的授权标志着泰科天润在碳化硅功率器件领域的技术创新取得重要进展。

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