天眼查App显示，2025年5月2日，「半导体器件及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项集成电路专利涉及缩小半导体器件面积、提高其在集成电路设计中的集成度。据专利信息显示，该技术实现显著优化。发明人为张曼、鲍伟、刘哲儒。 「本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、第一栅极和第二栅极，衬底中包括有源区，有源区中形成有若干凹槽，且若干凹槽沿第一方向排列；第一栅极和第二栅极均沿第一方向延伸，第一栅极的第一部分位于有源区上，第一栅极的第二部分覆盖凹槽的侧壁和底部，第一部分和第二部分连接，第二栅极位于有源区上。本发明实现缩小半导体器件的面积，提高半导体器件在集成电路设计中的集成度。」

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