天眼查App显示，2025年5月13日，「一种碳化硅晶体的生长方法」正式进入专利公布阶段。申请人为深圳市重投天科半导体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司和江苏天科合达半导体有限公司，该项半导体材料专利涉及碳化硅晶体生长技术领域。据专利信息显示，通过多孔硅过滤气流中的碳粒子，可显著优化碳化硅单晶质量，减少碳粒子包裹体及微管位错的形成。发明人为彭卓航、赵宁、杨剑挥、汪坪、王波、彭同华、杨建、曾江和彭勇。 「本发明提供了一种碳化硅晶体的生长方法。在生长过程中，升华的碳化硅原料会经过多孔硅到达籽晶表面，多孔硅丰富的毛细通道可以过滤气流中的碳粒子，防止碳粒子附着于籽晶表面，减少在碳化硅单晶中形成碳粒子包裹体，被过滤的碳粒子会先与多孔硅反应形成SiC，随着生长温度升高，又作为原料分解为Si和C。并且，多孔硅在生长过程中会充当Si源，平衡气相中的碳‑硅比，防止过多的碳在籽晶表面析出为碳粒子，避免形成碳粒子包裹体，以及碳粒子包裹体演变而来的微管及位错。」

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