天眼查App显示，2025年5月13日，「一种碳化硅晶体生长装置及生长方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为北京天科合达半导体股份有限公司和江苏天科合达半导体有限公司，该项晶体生长专利涉及碳化硅晶体生长技术领域。据专利信息显示，该技术能够显著优化碳化硅晶体生长过程中的原料区上升气流中夹杂的碳颗粒问题，有效提高晶体质量。发明人为张荣晟、姚静、张雪霞、娄艳芳、刘春俊、彭同华和杨建。 「本发明提供一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，其中，碳化硅晶体生长装置包括坩埚、收集盒和提拉杆，具体的，坩埚包括原料区和生长区，原料区的底端面开设有第一通孔，生长区的顶壁上设置有用于固定籽晶的籽晶托，收集盒设置于坩埚的底部，收集盒的顶端面开设有第二通孔，提拉杆与坩埚相连，提拉杆能够带动坩埚转动，以使得第二通孔与第一通孔重合或错开。和现有技术相比，该碳化硅晶体生长装置可减少碳化硅晶体生长过程中原料区上升气流中夹杂的碳颗粒，有效提高晶体质量。」

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