晶芯成(北京)科技有限公司等「光刻胶去除方法、光刻胶清洗剂、半导体结构及制备方法」专利公布(半导体制造专利快讯)

天眼查App显示,2025年5月13日,「光刻胶去除方法、光刻胶清洗剂、半导体结构及制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为晶芯成(北京)科技有限公司和合肥晶合集成电路股份有限公司,该项半导体制造专利涉及光刻胶去除技术,能够有效减少在去除光刻胶过程中造成的基底材料损失。据专利信息显示,该技术实现显著优化。发明人为段金燕、李政和杨昱霖。专利摘要指出,该方法包括提供半导体基底,利用混有活化分子的硅溶胶软化硬化的光刻胶,并通过紫外光清洗技术去除残留物,从而提升半导体结构制备工艺的可靠性和效率。

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