天眼查App显示，2025年5月13日，「一种半导体器件的制作方法」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体器件制程工艺优化领域。据专利信息显示，该方法实现了对受制程工艺影响而导致栅极结构的实际宽度与初始设定宽度波动的自动补偿，显著优化了半导体器件的沟道长度量产稳定性。发明人为郭廷晃、胡迎宾、郭哲邵和王涛涛。 「本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，建立了半导体器件的不同电学参数之间在栅极结构的水平方向上的宽度下与半导体制程工艺的工艺参数的函数关系，确定半导体器件的待执行的半导体制程工艺的工艺参数补偿值，即针对栅极结构的实际宽度，通过利用对包含该栅极结构的实际宽度的半导体器件所待执行的目标半导体制程工艺的工艺参数进行补偿，实现对受制程工艺影响而导致栅极结构的实际宽度与初始设定宽度所产生的波动进行自动补偿，亦实现了半导体器件的沟道长度自动补偿的量产。」

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