天眼查App显示，2025年5月13日，「一种硼扩散方法」正式进入专利公布阶段。申请人为深圳市捷佳伟创新能装备股份有限公司，该项半导体制造专利涉及硅片硼扩散工艺优化。据专利信息显示，该方法能够显著降低硅片边缘发黑的问题，实现工艺质量的显著优化。发明人为李国庆、居瑞智、吴宇轩、张吕、何炫。 「本发明公开了一种硼扩散方法，该方法包括如下步骤：S1、将炉管升温至950～1050℃保温；期间炉管压力设置为500～800mbar；通入氧气进行吹扫和抽气；降温并恢复至常压；在炉管的炉口设置100～2000sccm的氮气；S2、将硅片送入步骤S1中的炉管中依次进行通源预沉积和再分布；即得。该方法能够极大的降低硅片边缘发黑的问题。」

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