天眼查App显示，2025年5月16日，「超结半导体器件」正式进入专利权的授权阶段。申请人为芯联集成电路制造股份有限公司，该项半导体技术专利涉及增强器件抗电磁干扰能力的应用场景。据专利信息显示，该技术实现了显著优化的效果。发明人为李宝杰、任文珍、丛茂杰、陆珏和徐旭东。

本申请公开了一种超结半导体器件，包括：半导体材料层，具有上表面和下表面；超结结构，位于半导体材料层中，由若干呈交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成；第一导电类型阱区，位于第一导电类型柱顶端，包含第一类阱区和第二类阱区；栅极，位于上表面上；第一导电插塞，穿过栅极与第一类阱区导电连接；第二导电插塞，位于栅极上，与栅极导电连接。其中，第二类阱区上方被栅极覆盖，并与第一导电插塞及第二导电插塞绝缘隔离，从核心区延伸至终端区，在核心区和终端区均与第一类阱区分立设置。通过上述设计，器件的抗电磁干扰能力得到显著提升。

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