天眼查App显示，2025年5月23日，「二极管器件及其形成方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体器件专利涉及二极管器件的快速触发与性能优化。据专利信息显示，该技术显著优化了二极管器件的开启电压及开启时间，实现快速钳位并提升器件整体性能。发明人为余栋林。「一种二极管器件及其形成方法，其中二极管器件包括：衬底；位于所述衬底内的阱区；位于阱区上的栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区相反，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述阱区相同，且所述第二掺杂区的掺杂浓度高于所述阱区的掺杂浓度；位于所述第二掺杂区和栅极结构之间阱区内的过渡掺杂区，所述过渡掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区相同，且所述过渡掺杂区的掺杂浓度低于所述第一掺杂区的掺杂浓度。使得二极管器件能够被快速触发，进而降低二极管器件的开启电压以及开启时间，实现二极管器件的快速钳位，提升所述二极管器件的性能。」

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