天眼查App显示，2025年5月23日，「半导体器件及其制造方法」正式进入专利公布阶段。申请人为杰华特微电子股份有限公司，该项半导体器件专利涉及晶体管源漏两端电压检测技术的应用场景。据专利信息显示，通过设置多晶硅分压电阻，实现了对晶体管源漏两端电压的精准检测，技术效果实现显著优化。发明人为袁章亦安。该公开提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，以及置于衬底上的第一晶体管和多晶硅电阻。其中，第二多晶硅电阻包括串联连接的第一分压电阻和第二分压电阻，获取第一分压电阻与第二分压电阻连接端的电压用于表征源极区和漏极区之间的电压，从而达到检测晶体管源漏两端电压的目的。

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