天眼查App显示，2025年5月27日，「一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项半导体器件专利涉及高性能碳化硅VDMOS的制备技术。据专利信息显示，该技术通过非对称设计实现了体二极管续流能力的显著优化，并有效降低体二极管损耗。发明人为何佳、施广彦、李昀佶、陈彤及张长沙。 「本发明提供了一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在所述碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移区；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第二低阻区、第一低阻区、第一漂移层、第二漂移层、第一P型源区、第二P型源区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，去除阻挡层，完成制备；通过对器件结构进行非对称设计，实现了提高体二极管续流能力，降低体二极管损耗。」

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