天眼查App显示，2025年5月27日，「一种半导体结构的制备方法及其半导体结构」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体结构的制备方法及其应用。据专利信息显示，该方法显著优化了未反应金属层的去除温度，避免高温对金属硅化合物热稳定的影响和损伤，从而提高产品良率。发明人为曹平、李政、吕海燕。「本发明提供一种半导体结构的制备方法及其半导体结构，具体涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构上沉积有金属层；对金属层进行第一退火处理，生成金属硅化合物；采用第一清洗液对初始半导体结构进行处理，第一清洗液为硫酸、过氧化氢和亚铁离子的混合溶液；采用第二清洗液对初始半导体结构进行处理，第二清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液；对金属硅化合物进行第二退火处理，生成自对准硅化物层。」

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