天眼查App显示，2025年5月27日，「一种横向p-n结BC太阳能电池的制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为横店集团东磁股份有限公司，该项太阳能电池专利涉及新型横向p-n结结构的BC太阳能电池制备技术。据专利信息显示，该技术通过简单的结构调整即可显著优化电池光学性能，并有效解决了硼扩散过程中分界线精准控制的问题。发明人为吴成坤、任勇和陈德爽。「本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种横向p‑n结BC太阳能电池的制备方法。本发明通过巧妙的步骤设计，可获得一种具有新型横向p‑n结结构的BC太阳能电池，该电池正面无栅线，且横向两部分别为n区和p区，由此可构成横向p‑n结BC太阳能电池。该电池无需复杂激光图形化设计工艺，通过简单的结构调整，即可增加电池光学性能。此外本发明巧通过激光开槽处理在硅片表面预先形成p区与n区的分界线凹槽，在硼扩散过程中，即使硼掺杂原子越过设计的分界线也不会纵向内扩至n区硅片基底表面，因此对于硅片背面而言，硼扩散后其n区与p区的分界线可与预设分界线保持高度一致，从而无需担心后续对应p区与n区电极印刷精准位置的问题。」

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