天眼查App显示，2025年5月27日，「一种IGO和IGZO的酸性选择性蚀刻液」正式进入专利公布阶段。申请人为湖北兴福电子材料股份有限公司，该项新材料专利涉及半导体材料领域中的蚀刻技术应用。据专利信息显示，该蚀刻液在25℃条件下对IGO和IGZO的蚀刻速率至少大于100Å/min，同时将IGO和IGZO的选择比控制在1附近，能够实现对相同尺寸的IGO和IGZO进行有效蚀刻，显著优化了蚀刻效率与精度。发明人为李少平、谢建、王亮、贺兆波、张庭、叶瑞、彭秋桂、汪凡杰、孟牧麟、吴政和李文飞。本发明公开了一种包含有机醇醚、含氟物质、水溶性锌盐化合物、腐蚀抑制剂和余量水的蚀刻液，为相关领域的技术研发提供了新的方向。

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