天眼查App显示，2025年6月3日，「一种半导体结构的制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体器件制造领域。据专利信息显示，该方法实现了显著优化，通过调整张应力记忆层和PMOS晶体管源漏区相应凹槽的制备工艺顺序，避免了张应力记忆层在退火过程中对PMOS晶体管的影响，同时提高了NMOS晶体管的电子迁移率，并简化了CMOS器件的制程工序，降低了制造成本。发明人为曹开俊、宋富冉、周儒领。 「本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。通过将张应力记忆层和PMOS晶体管的源漏区相应凹槽的制备工艺顺序进行调整，实现利用应力隔离层具有可阻断张应力记忆层的应力传递的作用，保证PMOS晶体管的器件性能，并同时提高了NMOS晶体管的电子迁移率，进而实现了简化CMOS器件的制程工序和降低制造成本的目的。」

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