为了重夺芯片行业的主导地位，日本采取新举措，通过整合多方资源，开发用于人工智能的下一代存储芯片，挑战韩国在该领域的领先地位。

该项目由软银和英特尔共同成立的公司Saimemory主导，目标是研发高带宽内存（HBM）的替代方案。HBM是一种先进的内存技术，目前由韩国企业SK海力士和三星电子掌控全球约90%的市场份额。

Saimemory计划开发一种能够显著降低功耗的“堆叠式DRAM芯片”，以重塑市场格局而非直接竞争现有HBM领域。据东京电视台报道，该公司将于7月开始运营，团队包括软银首席财务官、英特尔首席技术官以及东京大学首席科学官等。

初始项目资金为100亿日元，其中软银出资30亿日元，并计划寻求日本政府支持。研发将利用英特尔的芯片堆叠技术和东京大学的数据传输专利，其他合作伙伴可能包括Shinko和理化学研究所。

日本的DRAM产业曾在20世纪80年代占据全球领先地位，但因美国贸易压力和韩国竞争对手崛起而逐渐衰退，最后一家DRAM制造商尔必达于2012年破产。如今，Saimemory定位为无晶圆厂芯片设计和知识产权管理公司，与三星电子和SK海力士的综合生产模式形成对比。

日本政府正积极重建本国半导体产业，已向Rapidus投资1.82万亿日元并修改相关法律。此外，软银在北海道建设的数据中心引发其可能从Rapidus采购芯片的猜测。

韩国在全球内存芯片制造中占据重要地位，2022年出口占总额的18.9%，其中三星电子和SK海力士分别占据全球DRAM市场73%和NAND闪存市场51%的份额。然而，在微处理器和传感器等领域，韩国仍依赖国家发展计划推动。

截至2025年第 一季度，SK海力士首次在全球DRAM市场占据36%的最大份额，超越三星电子的34%和美光科技的25%。SK海力士成功得益于其对HBM技术的长期投资，尤其是在人工智能加速器需求激增背景下，其HBM3E芯片独 家供应Nvidia。

分析人士指出，全球对AI和云计算相关芯片的需求将持续增长，而日本的新战略可能使韩国内存制造商面临被孤立的风险。

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