天眼查App显示，2025年6月6日，「一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项半导体器件专利涉及高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS技术领域。据专利信息显示，通过将器件的导电通道拆分，能保证器件关断，并提供体二极管大电流续流，显著优化器件可靠性。发明人为何佳、周海、李昀佶、陈彤。「本发明提供了一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：淀积金属，形成漏极金属层，外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成第一绝缘层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成悬浮栅；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成第二绝缘层，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第一金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成第三绝缘层和第四绝缘层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第二金属层和源极金属层，去除阻挡层，完成制备；通过将器件的导电通道拆分，能保证器件关断，并提供体二极管大电流续流，提高器件可靠性。」

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