天眼查App显示，2025年6月6日，「双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体制造领域专利涉及CMOS图像传感器的制造技术。据专利信息显示，该技术能够显著优化双浅沟槽隔离结构的深度和形状控制，并提升制造效率。发明人为程挚、方晓宇、刁勤超、朱正浩。 「本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器，通过两次离子注入和一次氧化区域的刻蚀工艺，实现精确控制双浅沟槽隔离结构的深度和形状，在保证隔离效果的同时能够提高制造效率；同时，能够确保双浅沟槽隔离结构的轮廓连续性，保证器件的整体性能和可靠性。」

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