武汉鼎泽新材料技术有限公司等一种碳化硅衬底粗抛用酸性氧化铝抛光组合物及抛光方法专利公布(新材料专利快讯)

天眼查App显示,2025年6月6日,「一种碳化硅衬底粗抛用酸性氧化铝抛光组合物及抛光方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为武汉鼎泽新材料技术有限公司、鼎泽(仙桃)新材料技术有限公司、湖北鼎龙新材料有限公司和湖北鼎龙控股股份有限公司,该项新材料专利涉及碳化硅衬底的高效抛光技术。据专利信息显示,该技术能够显著优化碳化硅衬底表面粗糙度,实现高速率、高质量抛光效果。发明人为李智霖、肖桂林、徐阳、刘子龙、李博和夏元玲。专利摘要指出,该抛光组合物包括氧化铝磨料、分散剂、悬浮剂、pH调节剂和水,其中悬浮剂选自壳聚糖负载磺化金属酞菁、纤维素负载磺化金属酞菁、甲壳素负载磺化金属酞菁、壳聚糖负载青蒿素或纤维素负载青蒿素中至少一种。在紫外光辅助作用下,形成的羟基自由基·OH或产生活性氧与碳化硅衬底发生氧化反应生成较软的表面改性层,从而降低表面硬度,达到优异的抛光性能。

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