天眼查App显示，2025年6月10日，「一种设有沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为重庆青山工业有限责任公司，该项半导体技术专利涉及碳化硅肖特基二极管的设计与制造领域。据专利信息显示，通过引入沟槽结构，接触电阻显著优化，同时耐压能力和开关速度取得突破性进展。发明人为马绍波、蒋华平、游同生、于志新、汤磊、彭志远、杨鹏正、刘定杰、谢雨庭、钟笑寒和李欣欣。该发明具体为在碳化硅SBD的空穴型半导体区域引入沟槽结构（例如方形、阶梯形沟槽等），能够在不改变空穴型半导体区域宽度及间距的前提下，增大欧姆接触面积，降低接触电阻，有效减少局部升温并提高导通能力；同时加深p-n结结深，进一步提升耐压性能和开关速度。

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