天眼查App显示，2025年6月10日，「半导体发光结构及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为苏州长光华芯光电技术股份有限公司和苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，该项半导体专利涉及半导体发光器件的设计与制造领域。据专利信息显示，该技术可显著优化半导体发光结构性能，有效减少热透镜效应并优化光束质量。发明人为王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、肖垚、李泉灵和闵大勇。 「本申请公开了半导体发光结构及其制备方法，其中半导体发光结构包括：衬底层；设置在衬底层一侧的有源层；设置在有源层背离衬底层一侧的折射率调制层；折射率调制层为亚波长光栅，亚波长光栅的周期相同，亚波长光栅的占空比不完全相同，亚波长光栅的高度与折射率调制层的厚度相等，亚波长光栅的凹槽内填充有第一材料，第一材料的折射率与亚波长光栅的材料的折射率不同。通过设置亚波长光栅结构的折射率调制层，实现折射率的任意调整，减少温度以及载流子引起的折射率的变化，从而提高半导体发光结构的性能。」

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