天眼查App显示，2025年6月10日，「半导体器件的制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为晶芯成（北京）科技有限公司和合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体器件制备领域。据专利信息显示，该方法能够显著优化半导体器件的制备工艺，并避免光刻胶层产生站脚和底切问题，同时不会增加工艺复杂程度。发明人为张晓玲、宋玉涛和曾群凯。本申请提供了一种半导体器件的制备方法，在衬底的第一器件区和第二器件区上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在衬底、第一栅极结构及第二栅极结构上形成第一应力缓冲层；通过图形化的光刻胶层对栅极结构两侧的衬底进行离子注入。第一应力缓冲层可以隔绝第一栅极结构及第二栅极结构表面的碱性基团，从而提升半导体器件的性能与可靠性。
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